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NTB5860N, NTP5860N, NVB5860N
TYPICAL CHARACTERISTICS
14000
12000
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
8
Q T
10000
8000
6000
6
4
Q gs
Q gd
4000
2000
0
0
C rss
C oss
10
20
30
40
2
0
0
20
40 60 80 100
V DS = 48 V
I D = 65 A
T J = 25 ° C
120 140 160 180
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
180
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source vs. Total Charge
V DD = 48 V
I D = 65 A
V GS = 10 V
t f
160
140
120
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
t r
t d(off)
t d(on)
100
80
60
40
20
0
1
10
100
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
1 ms
10 ms
dc
100 m s 10 m s
100
10
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
1
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
0.1
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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